Samsung к 2024 году анонсирует запуск на рынок компонентов модулей памяти DDR6, согласно инсайдерской информации будет внедрена модифицированная технология упаковки Semi-Additive Process (mSAP) для производства чипов DDR6.
Технология упаковки является ключевой при появлении более мощных DDR6, она должна развиваться вместе с модулями памяти. Применение процесса mSAP к микросхемам памяти DDR6 позволяет создавать более продвинутые микросхемы. Конкурирующие производители используют эту технологию для текущего DDR5, тогда как Samsung будет использовать ее для DDR6.
По предварительным данным DDR6 будет в два раза производительнее и будет иметь в два раза больше каналов памяти, чем DDR5, а скорость передачи до 12 800 Мбит/с на модулях JEDEC или 17 000 Мбит/с при разгоне.
Samsung уже имеет подобные удачные решения — в прошлом году была анонсирована память DDR5-7200 512 ГБ, производительность которой на 40% выше, чем у решений DDR4.