Transcend анонсирует новые модели карт памяти относящихся к промышленному классу. Карты работают на базе памяти 3D NAND и представлены в форматах SD и microSD. Карты рассчитаны на цикл работы 3 до 100 тысяч циклов записи/стирания. Максимальная скорость передачи данных до 100 МБ/с, рабочий температурный диапазон (от -40 до 85°C). Карты подойдут для промышленных девайсов, таких как встроенные компьютеры автоматизации, ручные сканеры штрих-кодов, торговые терминалы, автомобильные системы, медицинская техника и системы наблюдения.
Карты памяти Transcend SD и microSD соответствуют спецификациям SD Specification Version 6.1 и UHS-I, а также требованиям самого последнего стандарта производительности Application Performance Class 2 (A2), обеспечивая скорости чтения и записи до 100 МБ/с и до 85 МБ/с, соответственно.
Карты серии «T» и «М» работают при температурах -25° до 85°C, а карты серии «I» могут работать от -40°C до 85°C. Корпус карт влагозащищенный, ударостойкий и виброустойчивый, защищены от рентгеновского излучения и статического электричества. ПО SSD Scope Pro позволяет анализировать работу карты и получать всю информацию о ней.
Карты памяти SD и microSD предлагаются емкостью от 2 ГБ до 512 ГБ, и поставляются с 3-х летней ограниченной гарантией.
Сравнительная таблица SD карт памяти
Модель | SDC460T | SDC410M | SDC220I |
Тип памяти | WD BiCS5 3D NAND | Samsung 14nm MLC NAND | WD 15nm SuperMLC |
Емкость | 64-512 ГБ | 2-32 ГБ | 2-4 ГБ |
Макс. скорость чтения/записи | 100/85 МБ/с | 95/30 МБ/с | 22/20 МБ/с |
Speed Class | UHS-I U3 | UHS-I U1 | Class 10 |
Video Speed Class | V30 | V10 | — |
App Performance Class | А2 | А1 | — |
Рабочая температура | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
Циклов записи/стирания | 3 тысячи | 3 тысячи | 30 тысяч |
Ресурс TBW | 1 328 ТБ | 86 ТБ | 66 ТБ |
ECC | LDPC ECC | BCH ECC | BCH ECC |
Поддержка S.M.A.R.T. | Есть | Нет | Есть |
Сравнительная таблица microSD карт памяти
Модель | USD460T | USD450I | USD230I | USD410M | USD220I |
Тип памяти | WD BiCS5 3D NAND | WD BiCS4.5 3D NAND | WD BiCS4/BiCS3 3D NAND (SLC-режим) | Samsung 14nm MLC NAND | WD 15nm SuperMLC |
Емкость | 64-512 ГБ | 64-128 ГБ | 2-64 ГБ | 2-32 ГБ | 2-16 ГБ |
Макс. скорость чтения/записи | 100/80 МБ/с | 100/85 МБ/с | 100/70 МБ/с | 95/50 МБ/с | 80/45 МБ/с |
Speed Class | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U1 |
Video Speed Class | V30 | V30 | V30 | V10 | — |
App Performance Class | А2 | А2 | А1 | А1 | — |
Рабочая температура | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
Циклов записи/стирания | 3 тысячи | 3 тысячи | 100 тысяч | 3 тысячи | 30 тысяч |
Ресурс TBW | 663 ТБ | 332 ТБ | 5 800 ТБ | 86 ТБ | 300 ТБ |
ECC | LDPC ECC | LDPC ECC | BCH ECC | BCH ECC | BCH ECC |
Поддержка S.M.A.R.T. | Есть | Есть | Есть | Нет | Есть |