Две китайские компании Goke Microelectronics и Yangtze Memory подписали соглашение о совместной работе. Первая разрабатывает интегральные микросхемы, в том числе контроллеры SSD, а вторая выпускает собственную флеш-память. Компании уже успели произвести совместное устройство — SSD 311C-Y, все основные компоненты которого были изготовлены в Поднебесной.
SSD получил двух ядерный контроллер GK2302 и 96-слойную флеш-память TLC 3D NAND, построенная на архитектуре XTracking 1.0.
Интерфейс накопителя SATA 6 Гбит/с, скорость последовательного чтения/записи составляет 560/480 МБ/с. IOPS чтения и записи достигает 78 000 IOPS и 86 000.
Также Goke Microelectronics сделали анонс нового поколения SSD работающих на контроллере GK2302 V200, в них будет использована 128-слойная флеш-память QLC 3D NAND от Yangtze Memory.
Старт продаж SSD 311C-Y запланированы на начало лета 2020 года, предварительная цена не известна.