Samsung начали производство новой модели твердотельного накопителя с 4-битовыми ячейками (QLC) SATA 4 ТБ. Новая модель накопителей работает на QLC V-NAND микросхемах ёмкостью 1 Тбит. Производительность SSD на уровне с TLC SSD. Анализ рынка показывает, что новые QLC SSD выведут массовые твердотельные накопители на более высокий уровень эффективности.
Используя QLC чип V-NAND ёмкостью 1 Тбит можно выпускать более производительные карты памяти для смартфонов емкостью 128 ГБ.
Объем данных в одной ячейке памяти повышается с 3-х до 4-х бит и емкость чипа на единицу площади тоже увеличивается, а энергия, необходимая для чтения информации, снижается в двое. Из-за этого поддерживать производительность и скорость работы устройства становится сложнее.
Не смотря на это накопитель 4ТБ QLC SATA SSD по уровню почти наравне с TLC SSD. Разработчики достигли этого эффекта за счет внедрения прогрессивного SSD контроллера и технологии TurboWrite. Немаловажным фактором стало увеличение ёмкости накопителя использованием 32 микросхем, базирующихся на 64-слойном V-NAND дизайне емкостью 1 Тбит.
Твердотельный накопитель QLC SSD Samsung выдает скорость чтения/записи 540/520 Мбит/с .
В текущем 2018 году, компания Samsung анонсирует несколько моделей QLC SSD. Накопители будут с емкостью 1/2/4 Тб форм-фактор 2,5″.
