Компания Toshiba представляет новое поколение чипов BiCS FLASH на основе трехмерных ячеек памяти.
Новинка стала первым в мире3 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS и использует передовую технологию TLC с тремя битами в каждой ячейке. Чипы BiCS FLASH создаются на основе продвинутого процесса 48-слойной упаковки, что позволяет значительно увеличить емкость памяти, улучшить надежность чтения и записи, а также увеличить скорость работы по сравнению с двумерной памятью NAND Flash. Новые 256-гигабитные чипы подходят для самых разных устройств — накопителей SSD, смартфонов, планшетных компьютеров и карт памяти, а также корпоративных SSD для дата-центров.
Компания Toshiba анонсировала BiCS FLASH в 2007 году и с тех пор продолжала оптимизировать технологию для массового производства. Японский производитель считает, что в следующем году рынок флеш-памяти значительно возрастет, поэтому активно выступает за переход на BiCS FLASH. Продуктовая линейка новых чипов включает наиболее емкие модели для самых требовательных прикладных областей, таких как SSD.
Поставки образцов начнутся в сентябре 2015-го года.
Toshiba готовится начать массовое производство BiCS FLASH на новой фабрике Fab2 объекта Yokkaichi Operations. Постройка фабрики Fab2, заточенной под производство чипов флеш-памяти, завершится в первой половине 2016 года.
Компания Toshiba Corporation консолидирует передовые разработки электронных и электрических продуктов и систем в пяти стратегических сферах: «Энергетика и инфраструктура»; «Социальные и офисные решения»; «Системы и сервисы для здравоохранения»; «Электронные устройства и компоненты»; «Потребительская электроника».